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量子临界点附近的电子输运: 光电导率

发布日期:2025-08-28 作者: 编辑:内容维护管理员3 来源:兰州理论物理中心

报告人:李颂慈 副教授(天津大学)

题目:量子临界点附近的电子输运: 光电导率

时间:2025年9月3日(周三)下午15:00

地点:理工楼1226

联系人:钟寅

报告摘要:

在零温附近可通过调控非温度外参量(如磁场、压力、掺杂等)使关联电子体系发生量子相变,所对应的临界点则被称为量子临界点。与热涨落控制的经典相变不同,量子临界点附近由强烈的量子涨落主导,很多非常规物理性质,包括高温超导和奇异金属行为,都可能和量子临界涨落有密切的关系。本次报告中关注二维Ising-nematic临界点附近量子金属的光学电导率,在第一部分中我们发现该量子临界系统光学电导率的频率变化与费米面形状密切相关,对于凸费米面,零温下频率变化为ω2/3;对于凹费米面,频率变化则为ω-2/3, 并且获得从凸费米面到凹费米面过渡时,光学电导率随系统参数的变化。在第二部分中,我们关注Ising-nematic临界点附近的二能谷系统,发现能谷之间的拖曳效应导致ω-2/3的光学电导率频率变化。

个人简介:

李颂慈,天津大学物理系副教授,2017年8月于美国华盛顿大学取得博士学位,之后在佛罗里达大学/国家强磁场实验室、威斯康星大学从事博士后研究,2023年10月加入天津大学。主要研究方向为关联电子体系的输运理论、量子相变、超导。

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