Quantifying XRF Imaging Sensitivity Using Precision Focused lon Beam Implantation
发布日期:2024-06-11
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来源:兰州理论物理中心
应兰州大学物理科学与技术学院罗肆强和数学与统计学院李新华邀请,英国萨里大学Veronika Zelyk博士将于2024年6月9日至13日访问兰州大学,并于2024年6月12日进行学术报告,欢迎全校师生参加。
报告题目:Quantifying XRF Imaging Sensitivity Using Precision Focused lon Beam Implantation
报告人:Veronika Zelyk博士(英国萨里大学)
时 间:2024年06月12日(周三) 下午16:30
地 点:理工楼1305
报告摘要:
近年来,技术进步对在靶材料中精确和可控地引入单个局部参杂的要求显著提高。绝缘体中的孤立缺陷在改善量子传感器和单光子源中显示出巨大前景,而在纳米级台面结构中进行战略性地掺杂将引发半导体器件中所需的电响应。对于开发可扩展固态量子位来说,解决定位精度并实现单独注入离子的灵敏和无损成像至关重要。
在本报告中,我们将展示在1秒的积分时间内,XRF灵敏度能够识别仅包含3000 Ga杂质的单个分离特征。通过将积分时间延长到16秒,成功地检测到650个Ga杂质。这充分展示了FIB-SEM的注入能力,以及XRF成像定量绘制和解析纳米级特征的潜力,并表明通过进一步优化确定性和非确定性离子注入方法,达到单原子灵敏度可能很快就会实现。
报告人简介:
Veronika Zelyk博士2021年在英国萨里大学获得硕士学位,之后继续在萨里大学攻读博士学位至今。Veronika Zelyk博士主要从事将侧向固相外延再生(L-SPER)技术应用于硅(Si)膜中单个离子的高精度定位等相关问题。目前在可扩展固态量子位的开发研究,特别是在解决位置精度并实现单独注入离子的灵敏度以及无损成像等方面获得了一些创新性成果,相关成果发表在《Small Methods》等国际知名学术期刊。
欢迎广大师生届时参加!