报告人：赵宇军 教授（华南理工大学）

题目：自旋电子材料－从稀磁半导体到交错磁

时间：2026年9月11日（周五）上午10:00

地点：理工楼1215

联系人：王云华

报告摘要：

近三十多年来，自旋电子学作为探索新一代电子器件的核心方向持续受到广泛关注，其研究对象也从稀磁半导体、二维磁体，逐步演进至近年来兴起的交错磁体（altermagnetism）。我们利用晶体对称性分析，通过简洁的物理图像揭示了过渡金属磁性原子替位掺杂稀磁半导体的电子结构与磁性行为。在二维材料异质结方面，结合实验合作，我们证实了层间耦合可通过氢注入实现有效调控，并进一步在该类体系中实现了电场控制的交换偏置效应及磁性相变。同时，我们构建了Fe₃GeTe₂/graphite/Fe₃GeTe₂磁阻结构器件，观测到三个磁阻态，展示了二维体系在自旋电子器件中的实际应用潜力。

在交错磁体的研究中，我们借助自旋群理论系统探讨了二维交错磁体的理论框架与分类方案，并预测了若干新型候选材料。此外，基于层内铁磁耦合、层间反铁磁堆叠的二维体系，我们提出了构筑包括A型双层堆垛交错磁体在内的多种非常规磁态的一般性方法，为二维反铁磁材料的拓展与设计开辟了新途径。

个人简介：

赵宇军，教授，博士生导师。1994年、1999年分别获浙江大学物理系学士和博士学位。1999年至2004年分别于美国西北大学(Northwestern University)和再生能源国家实验室(NREL)从事博士后研究；2005至2006年于美国硅谷的NanoStellar公司理论模拟部任研究员；2006年作为学校“百人计划”特聘教授于华南理工大学物理系任教。现为物理与光电学院计算物理研究组负责人，并担任中国计算物理学会常任理事。

赵宇军教授主要从事晶体缺陷和掺杂理论、晶体结构搜索、以及过渡金属表面的催化机制研究，涉及自旋电子学和新能源材料物理性能等方面的基础工作。赵宇军教授先后主持了多项国家、省部级科研项目，并入选2008年教育部新世纪优秀人才支持计划。至今，赵宇军教授已在Science Advances, Physical Review Letters, Physical Review B等重要国际学术刊物上发表学术论文200余篇，被引超过10000次。